功能描述：射频GaAs晶体管 For NE651R479A-A Power at 2.6 GHz
RoHS：否
制造商：TriQuint Semiconductor
技术类型：pHEMT
频率：500 MHz to 3 GHz
增益：10 dB
噪声系数：
正向跨导 gFS（最大值/最小值）：4 S
漏源电压 VDS：
闸/源击穿电压：- 8 V
漏极连续电流：3 A
最大工作温度：+ 150 C
功率耗散：10 W
安装风格：
封装 / 箱体：
NE651R479A-EVPW35
NE651R479A-T1
NE651R479A-T1-A
NE652N
NE657N
NE661M04
NE661M04-A
NE661M04-T22SC5507
NE661M04-T2-A
NE661M05
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